上海丽恒光微电子科技有限公司杨天伦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海丽恒光微电子科技有限公司申请的专利一种制冷红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010954559.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种制冷红外探测器及其制备方法是由杨天伦;毛剑宏设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制冷红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种制冷红外探测器及其制备方法中，制备方面包括以下步骤：提供一衬底，衬底上形成有超晶格复合层；执行第一次清洁和表面处理工艺；在超晶格复合层上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有开口的硬掩模层，以硬掩模层为掩模，依次刻蚀第一钝化层和超晶格复合层，以形成沟槽和台面，去除硬掩模层；执行第二次清洁和表面处理工艺；在第一钝化层上形成第二钝化层，第二钝化层还覆盖了沟槽和台面；刻蚀第一钝化层和第二钝化层，以形成开孔，并在开孔中形成金属电极。本发明通过在每次形成钝化层之前均进行了清洁和表面处理工艺，可以降低器件的表面漏电流，提高器件的性能。
本发明授权一种制冷红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制冷红外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底上形成有超晶格复合层； 在PECVD设备中或者ALD设备中通过等离子体气体对所述衬底的表面执行第一次清洁和表面处理工艺； 在所述超晶格复合层上形成第一钝化层； 在所述第一钝化层上形成具有开口的硬掩模层，以所述硬掩模层为掩模，依次刻蚀所述第一钝化层和超晶格复合层，并刻蚀停止在所述超晶格复合层中，以形成沟槽和台面，去除所述硬掩模层； 在PECVD设备中或者ALD设备中通过等离子体气体对所述衬底的表面执行第二次清洁和表面处理工艺； 在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层还覆盖了所述沟槽和台面； 刻蚀所述第一钝化层和第二钝化层，以形成开孔，并在所述开孔中形成金属电极。
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