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龙图腾网获悉国网上海市电力公司;西北工业大学;全球能源互联网研究院有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;西安茂荣电力设备有限公司申请的专利一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112577534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011378321.7，技术领域涉及：G01D5/353；该发明授权一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法是由司文荣;虞益挺;吕佳明;李浩勇;傅晨钊;姚维强;鞠登峰;吴旭涛;陆启宇;宋平;黄兴德;李秀广;何宁辉;周秀;陈川;梁基重;药炜;袁鹏设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法，所述的传感器包括光纤、大孔、小孔、反射层和敏感膜片，所述的反射层制作在敏感膜片上，所述的敏感膜片位于小孔底部，所述的小孔位于大孔底部，所述的大孔底部与光纤端面固定并同轴心设置。与现有技术相比，本发明具有大幅度简化后续封装步骤，提高珐珀腔的构建效率，同时可准确控制珐珀腔腔长、大幅度增加珐珀干涉的精细度、降低珐珀腔的损耗、提高珐珀腔的干涉品质等优点。

本发明授权一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于MEMS光纤珐珀传感器的制作方法，其特征在于，所述传感器包括光纤（1）、大孔（2）、小孔（3）、反射层（4）和敏感膜片（5），所述的反射层（4）制作在敏感膜片（5）上，所述的敏感膜片（5）位于小孔（3）底部，所述的小孔（3）位于大孔（2）底部，所述的大孔（2）底部与光纤（1）端面固定并同轴心设置； 所述的敏感膜片（5）、大孔（2）和小孔（3）为通过纳米压印技术在薄膜（12）上一体制作而成的部件； 所述制作方法包括以下步骤： 步骤1：在压印印模的基底（6）上制备两层掩膜，分别为底层掩膜（7）和顶层掩膜（8）； 步骤2：通过ICP在基底（6）上刻蚀出定位小孔（9）； 步骤3：去除基底（6）的顶层掩膜（8），并通过ICP在基底（6）上刻蚀出定位大孔（10）； 步骤4：去除底层掩膜（7），得到压印印模； 步骤5：在衬底（11）上通过沉积工艺制作一层薄膜（12）； 步骤6：基于纳米压印技术，利用步骤4得到的压印印模在薄膜（12）上压印出敏感结构； 步骤7：去除衬底（11），形成敏感膜片（5）、大孔（2）和小孔（3）； 步骤8：通过MEMS薄膜沉积工艺在敏感膜片（5）上制作一层反射膜，形成反射层（4）； 步骤9：将光纤（1）直接粘接到大孔（2）上，并保证光纤（1）与敏感膜片（5）的中心对准，形成完整的光纤珐珀传感器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国网上海市电力公司;西北工业大学;全球能源互联网研究院有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;西安茂荣电力设备有限公司，其通讯地址为：200122 上海市浦东新区自由贸易试验区源深路1122号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。