索尼半导体解决方案公司坂入卓获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092991.4，技术领域涉及：H01S5/02253；该发明授权发光装置是由坂入卓;山本笃志;前田兼作设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光装置在说明书摘要公布了：[问题]为了提供一种能够适当地控制从发光元件发射的光的发光装置。[解决方案]本公开的发光装置包括：基板；多个发光元件，设置在基板的第一表面侧上；以及光学元件，设置在基板的第二表面侧上，并且从多个发光元件发射的光入射至该光学元件，其中，光学元件包括用作透镜的液晶层。
本发明授权发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，包括： 基板； 多个发光元件，设置在所述基板的第一表面侧；以及 光学元件，设置在所述基板的第二表面侧，并且从所述多个发光元件发射的光入射至所述光学元件，其中， 所述光学元件包括被配置为用作透镜的液晶层， 其中，所述发光装置进一步包括驱动装置，所述驱动装置经由所述多个发光元件设置在所述基板的所述第一表面侧并且被配置为驱动所述多个发光元件， 其中，所述驱动装置被配置为在单个基础上驱动所述多个发光元件， 其中，所述液晶层夹在第一基板与第二基板之间； 其中，所述光学元件包括： 第一电极，设置在所述第一基板的上表面上；以及 第二电极，设置在所述第二基板的下表面上； 其中，所述第一电极和所述第二电极用于驱动所述液晶层，并且用于控制所述液晶层内部的液晶分子的方位； 其中，下部取向膜经由所述第一电极设置在所述第一基板的上表面上，上部取向膜经由所述第二电极设置在所述第二基板的下表面上，所述下部取向膜和所述上部取向膜具有用于对所述液晶层内部的液晶分子进行取向的多个凹槽， 并且其中，所述液晶层设置在所述下部取向膜与所述上部取向膜之间，并且所述液晶层通过由所述第一电极和所述第二电极驱动而用作透镜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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