纳姆实验有限责任公司迈克·西蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉纳姆实验有限责任公司申请的专利具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011618508.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法是由迈克·西蒙;延斯·特罗默;瓦尔特·韦贝尔;斯特凡·斯列萨策克设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法。本发明提供了包括具有金属‑半导体接触以及多于一个栅极端子的场效应晶体管的集成电路。在本发明中，提出了具有多个栅极接触件105的场效应晶体管的集成电路，多个栅极接触件105优选是独立的。使用相同的沟道101和由在沟道端部通过金属‑半导体接触形成的共源极漏极接触，栅极接触件105彼此相邻。本发明包括一种在具有多个栅极端子的晶体管的适当栅极105下方的沟道101端部形成精确金属‑半导体合金接触124的方法，其与使用相同沟道彼此相邻的多个栅极接触件的密集集成相兼容。
本发明授权具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种包括晶体管的集成电路，包括： 半导体沟道，包括： 三个或更多个子沟道，每个子沟道具有两个端部； 一个或多个节点，每个节点位于三个或更多个子沟道的端部，三个或更多个子沟道的端部连接在一起以形成电连续连接；以及 沟道端部，每个所述沟道端部是与节点分隔开的子沟道的端部； 位于每个沟道端部的肖特基接触与节点分隔开，以形成源极或漏极接触件；并且 设置在每个肖特基接触处的栅极接触件，以控制相应的肖特基接触的势垒导电性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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