台湾积体电路制造股份有限公司藤原英弘获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110210088.X，技术领域涉及：G11C11/408；该发明授权记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列是由藤原英弘;邱奕勋;王奕设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列在说明书摘要公布了：一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列，记忆体装置包括记忆体阵列，记忆体阵列具有：记忆体阵列的第一列中的第一记忆体单元；记忆体阵列的第一列中的第二记忆体单元；第一读取位元线，在列方向上延伸且连接至第一记忆体单元以自第一记忆体单元读取数据；及第二读取位元线，在列方向上延伸且连接至第二记忆体单元以自第二记忆体单元读取数据。
本发明授权记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列在权利要求书中公布了：1.一种记忆体装置，其特征在于，包括： 一记忆体阵列，包括： 一第一记忆体单元，在该记忆体阵列的一第一列中； 一第二记忆体单元，在该记忆体阵列的该第一列中，该第二记忆体单元相邻于该第一记忆体单元； 一第一读取位元线，在一列方向上延伸且连接至该第一记忆体单元以自该第一记忆体单元读取数据；及 一第二读取位元线，在该列方向上延伸且连接至该第二记忆体单元以自该第二记忆体单元读取数据， 其中，该第一记忆体单元连接至沿着一行方向上延伸的一第一读取字元线；以及 该第二记忆体单元连接至沿着该行方向上延伸的一第二读取字元线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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