杭州广立微电子股份有限公司潘伟伟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114764215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110264926.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构是由潘伟伟;胡佳南设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：确定版图的待识别层，即目标图形所在层；预设宽度范围，识别初始边；预设第一间距范围和第二间距范围；识别第一间隔区、第二间隔区；识别第一边、第二边；将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边并且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为目标图形，即光刻缺陷热点图形。能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明还提供一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明的光刻缺陷热点图形的识别方法得到，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。
本发明授权一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构在权利要求书中公布了：1.一种光刻缺陷热点图形的识别方法，其特征在于：包括： 步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层； 步骤S2.预设宽度范围，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述宽度范围内的图形识别为初始多边形，并将初始多边形中沿着图形走向的轮廓边识别为初始边； 步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区； 步骤S4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边； 步骤S5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out；所述plg_out为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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