三星电子株式会社俞炫圭获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113937101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110369109.2,技术领域涉及:H10D84/83;该发明授权半导体器件是由俞炫圭;柳志秀;徐在禹;林承万设计研发完成,并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:公开了包括位于衬底上的第一逻辑单元和第二逻辑单元的半导体器件。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元均包括:第一有源区和第二有源区,所述第一有源区和所述第二有源区在第一方向上彼此相邻;栅电极,所述栅电极横跨所述第一有源区和所述第二有源区,并且在所述第一方向上纵长地延伸;以及第一金属层,所述第一金属层位于所述栅电极上。所述第一金属层包括在垂直于所述第一方向的第二方向上纵长地延伸并且彼此平行的第一电力线和第二电力线。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元沿着所述第一电力线和所述第二电力线在所述第二方向上彼此相邻。所述第一有源区和所述第二有源区在所述第二方向上从所述第一逻辑单元纵长地延伸到所述第二逻辑单元。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括: 第一逻辑单元和第二逻辑单元,所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元位于衬底上,其中,所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元均包括: 第一有源区和第二有源区,所述第一有源区和所述第二有源区在第一方向上彼此相邻; 栅电极,所述栅电极横跨所述第一有源区和所述第二有源区,并且在所述第一方向上纵长地延伸;以及 第一金属层,所述第一金属层位于所述栅电极上, 其中,所述第一金属层包括第一电力线和第二电力线,所述第一电力线和所述第二电力线在垂直于所述第一方向的第二方向上纵长地延伸,并且彼此平行, 其中,所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元沿着所述第一电力线和所述第二电力线在所述第二方向上彼此相邻, 其中,所述第一有源区和所述第二有源区在所述第二方向上从所述第一逻辑单元纵长地延伸到所述第二逻辑单元, 其中,所述第一逻辑单元的所述第一金属层还包括在位于所述第一电力线和所述第二电力线之间的第一线轨迹上对准的一条或更多条第一下线路, 其中,所述第二逻辑单元的所述第一金属层还包括在位于所述第一电力线和所述第二电力线之间的第二线轨迹上对准的一条或更多条第二下线路, 其中,所述第一线轨迹和所述第二线轨迹在所述第二方向上延伸, 其中,所述第一逻辑单元的第一线轨迹沿第一方向以第一节距布置, 其中,所述第二逻辑单元的第二线轨迹沿第一方向以第二节距布置, 其中,所述第一逻辑单元的至少一条所述第一线轨迹设置在所述一条或更多条第一下线路的在所述第一方向上的中心处, 其中,所述第二逻辑单元的至少一条所述第二线轨迹设置在所述一条或更多条第二下线路的在所述第一方向上的中心处,并且 其中,所述第二线轨迹在所述第一方向上分别偏离相应的第一线轨迹。
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