天合光能股份有限公司张学玲获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池叠层钝化结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110396614.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池叠层钝化结构及制备方法是由张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池叠层钝化结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了太阳能电池叠层钝化结构及制备方法。所述太阳能电池叠层钝化结构包括：P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层。所述制备方法包括：在P型硅衬底背面生成第一介电层，再在所述第一介电层上依次沉积第二介电层和第三介电层。本发明提供的太阳能电池背面叠层钝化结构含有丰富的氢离子或氢原子，具有非常好的化学钝化效果。
本发明授权太阳能电池叠层钝化结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述太阳能电池叠层钝化结构包括：P型硅衬底1，以及在所述P型硅衬底1背面从里到外依次设置的第一介电层2、第二介电层3和第三介电层4， 其中所述第一介电层2为厚度1-10nm的氧化硅层，所述第二介电层3为氮氧化硅层，并且所述第三介电层4为氮化硅层， 其中所述第二介电层3和所述第三介电层4为具有不同折射率的叠层膜结构， 其中在所述第二介电层3和所述第三介电层4的叠层膜结构中，沿着远离P型硅衬底1的方向，各叠层膜的各膜的折射率依次升高，以及所述第二介电层3的折射率范围为1.5-2.4，并且所述第三介电层4的折射率范围为1.5-2.4。
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