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龙图腾网获悉上海思立微电子科技有限公司申请的专利超声波指纹识别装置以及超声波指纹识别芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115273156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110477203.X，技术领域涉及：G06V40/12；该发明授权超声波指纹识别装置以及超声波指纹识别芯片是由吴清清;黄景泽;高传海;周彬;潘圣莹;效烨辉;谢詹奇;许俊峰;焉逢运设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本超声波指纹识别装置以及超声波指纹识别芯片在说明书摘要公布了：本说明书公开了一种超声波指纹识别装置以及超声波指纹识别芯片，装置包括：超声波传感器，用于发射和接收超声波信号，所述超声波传感器具有相背对的两侧，一侧设置有第一介质层，另一侧设置有第二介质层，所述第二介质层在背离所述超声波传感器的上方设置有第三介质层；超声波传感器在第一介质层和第二介质层之间形成供超声波谐振的结构，超声波传感器发出的超声波信号经过谐振后能从第二介质层传出、进入第三介质层，被第三介质层上方的目标体反射后进入超声波传感器。本申请能够增强超声波信号的声波强度、提高指纹图像的信噪比。

本发明授权超声波指纹识别装置以及超声波指纹识别芯片在权利要求书中公布了：1.一种超声波指纹识别装置，其特征在于，包括： 超声波传感器，用于发射和接收超声波信号，所述超声波传感器具有相背对的两侧，一侧设置有第一介质层，另一侧设置有第二介质层，所述第二介质层在背离所述超声波传感器的上方设置有第三介质层； 所述超声波传感器在所述第一介质层和所述第二介质层之间形成供超声波谐振的结构，所述超声波传感器发出的超声波信号经过谐振后能从所述第二介质层传出、进入所述第三介质层，被所述第三介质层上方的目标体反射后进入所述超声波传感器： 所述第二介质层1的声阻抗为21-23MRayls，所述超声波传感器的声阻抗为1～10MRayls，所述超声波传感器与所述第二介质层的界面声波反射率大于0.4并小于0.9； 所述第二介质层具有相背对的第三表面和第四表面，所述第三表面与所述超声波传感器相面对，所述第三表面包括识别区域和非识别区域，所述识别区域用于设置CMOS像素单元阵列以及用于所述CMOS像素单元阵列与所述超声波传感器电耦合的底电极，所述非识别区域用于形成与所述CMOS像素单元阵列、所述超声波传感器电性连接的信号处理电路，所述信号处理电路用于为所述超声波传感器提供驱动电压以及对所述CMOS像素单元阵列发出的电信号进行处理。

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