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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110494944.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵君红设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和衬底上的第一鳍部材料层，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区的第一鳍部材料层上形成核心层；在核心层侧壁形成第一掩膜侧墙；以第一掩膜侧墙和核心层为掩膜刻蚀第一鳍部材料层，形成初始鳍部；在初始鳍部露出的基底上形成第二鳍部材料层，第二鳍部材料层和第一鳍部材料层材料不同；形成第二鳍部材料层后去除核心层；去除核心层后，在第一掩膜侧墙的侧壁形成第二掩膜侧墙；去除第一掩膜侧墙；去除第一掩膜侧墙后，以第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀初始鳍部和第二鳍部材料层，初始鳍部图形化为第一鳍部，第二鳍部材料层图形化为第二鳍部。本发明选取不同的鳍部材料，满足不同器件的性能需求。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括衬底和位于所述衬底上的第一鳍部材料层，所述基底包括用于形成第一晶体管的第一器件区、以及用于形成第二晶体管的第二器件区； 在所述第一器件区的第一鳍部材料层上形成核心层； 在所述核心层的侧壁形成第一掩膜侧墙； 以所述第一掩膜侧墙和核心层为掩膜，刻蚀所述第一鳍部材料层，在所述第一器件区的剩余基底上形成凸起的初始鳍部； 在除去所述初始鳍部外的第二器件区露出的剩余基底上形成第二鳍部材料层，所述第二鳍部材料层覆盖所述初始鳍部的侧壁，所述第二鳍部材料层和第一鳍部材料层的材料不同； 形成所述第二鳍部材料层后，去除所述核心层； 去除所述核心层后，在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成第二掩膜侧墙； 去除所述第一掩膜侧墙； 去除所述第一掩膜侧墙后，以所述第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述初始鳍部和第二鳍部材料层，将所述初始鳍部图形化为凸立于所述第一器件区的衬底上的第一鳍部，将所述第二鳍部材料层图形化为凸立于所述第二器件区的衬底上的第二鳍部。

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