中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110556046.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，基底上形成有沟道结构材料层，包括一个或多个沟道材料叠层，包括牺牲材料层和位于牺牲材料层上的沟道材料层，沟道结构材料层上还形成有掩膜层；在第一器件区和第二器件区交界处，形成贯穿掩膜层和沟道结构材料层的隔离墙，且隔离墙的顶部高于掩膜层的顶部；在掩膜层露出的隔离墙的侧壁形成侧墙层；以侧墙层和隔离墙为掩膜，去除侧墙层和隔离墙露出的掩膜层、沟道结构材料层以及部分厚度的基底，保留剩余沟道结构材料层作为沟道结构；在沟道结构侧部的剩余基底上形成隔离层。有利于控制形成沟道结构的宽度，且形成尺寸均一性较高的沟道结构。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，所述基底上形成有沟道结构材料层，所述沟道结构材料层包括一个或多个沟道材料叠层，所述沟道材料叠层包括牺牲材料层和位于所述牺牲材料层上的沟道材料层，所述沟道结构材料层上还形成有掩膜层； 在所述第一器件区和第二器件区交界处，形成贯穿所述掩膜层和沟道结构材料层的隔离墙，且所述隔离墙的顶部高于所述掩膜层的顶部； 在所述掩膜层露出的所述隔离墙的侧壁形成侧墙层； 以所述侧墙层和隔离墙为掩膜，去除所述侧墙层和隔离墙露出的所述掩膜层、沟道结构材料层以及部分厚度的基底，保留剩余所述沟道结构材料层作为沟道结构，所述沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，所述沟道叠层包括第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的沟道层； 在所述沟道结构侧部的剩余基底上形成隔离层，所述隔离层露出所述沟道结构的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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