ASM IP私人控股有限公司须佐圭雄获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113699502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110555371.6，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法是由须佐圭雄;美山辽;菊地良幸设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法在说明书摘要公布了：公开了用于形成包括多个碳层的结构的方法和系统，以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括形成第一碳层和第二碳层，其中第一碳层的密度和或其它性能不同于第二碳层相应的性能。
本发明授权包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成结构的方法，所述方法包括以下步骤： 在反应室内提供衬底，所述衬底包括在所述衬底的表面上形成的一个或更多个凹槽； 形成覆盖所述表面的第一碳层；以及 形成覆盖所述第一碳层的第二碳层； 其中，所述第一碳层通过形成初始可流动材料而形成； 其中，所述第一碳层填充所述一个或更多个凹槽到高于所述衬底的表面的高度；且 其中，所述第一碳层的密度大于所述第二碳层的密度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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