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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利紧凑型低速原子源的产生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115484725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110665694.0，技术领域涉及：H05H3/02；该发明授权紧凑型低速原子源的产生装置是由孙剑芳;徐震;李唐;刘亮;汪凌珂设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本紧凑型低速原子源的产生装置在说明书摘要公布了：一种紧凑型低速原子源的产生装置，包括真空腔、原子炉、二维四极磁场产生装置、冷却激光和推送激光。所述的冷却激光和二维四极磁场产生装置在真空腔内形成二维磁光阱。本发明原子炉产生近准直的大束流热原子束，通过所述的二维磁光阱将所述的原子炉产生的热原子减速。所述的推送激光将二维磁光阱中的低速原子推送到实验区域，在保证束流的前提下保证实验区域的高真空度，通过开关所述的冷却激光和所述的推送激光来开关原子束的束流；通过选择合适的冷却激光和推送激光的频率，可以选择减速的原子的同位素。所述的原子炉位于真空腔内尽量靠近二维磁光阱区域，原子炉喷射的方向与二维磁光阱的真空窗口呈一定夹角，可确保原子炉内喷出的未经减速的原子不会附着在腔镜表面污染真空窗口。该装置利用二维磁光阱直接从热原子束产生大束流的低速原子。

本发明授权紧凑型低速原子源的产生装置在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型低速原子源的产生装置，其特征在于该装置包括真空腔、原子炉、冷却激光、二维四极磁场产生装置和推送激光，所述的冷却激光和二维四极磁场产生装置在所述的真空腔内形成二维磁光阱； 所述的原子炉通过电极法兰固定在所述的真空腔内，靠近所述的二维磁光阱区域，所述的原子炉置于热屏蔽筒内，通过加热使原子从所述的原子炉的毛细管的喷嘴喷出，形成近准直的热原子源，所述的热原子的出射方向与z方向垂直，与x和y方向呈一定夹角，所述的冷却激光位于同一x、y平面，所述的冷却激光为两对相互垂直的圆偏激光，分别沿x方向和y方向，其偏振方向与所述的二维四极磁场方向相关：顺着磁场方向的光为左手螺旋圆偏光，逆着磁场方向的光为右手螺旋圆偏光；所述的推送激光沿z方向，将所述的二维磁光阱中的热原子推送到实验区域，所述的二维磁光阱将所述的原子炉产生的热原子减速并在二维方向囚禁；所述的二维四极磁场产生装置的作用是产生二维磁场梯度，配合冷却激光将原子减速并在二维方向囚禁；磁场零点在所述的冷却激光的交叠区域内，所述的原子炉产生的近准直热原子束经过磁场零点，所述的推送激光和冷却激光打在经二维磁光阱冷却后的原子团上，所述的推送激光和冷却激光的频率与原子共振或蓝失谐，作用是将减速后的原子推送到实验区域部分。

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