三国电子有限会社田中荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三国电子有限会社申请的专利通过电感耦合等离子体进行溅射成膜的成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115735268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180044881.5，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权通过电感耦合等离子体进行溅射成膜的成膜装置是由田中荣设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过电感耦合等离子体进行溅射成膜的成膜装置在说明书摘要公布了：一种成膜装置，包括安装溅射靶的成膜室、覆盖溅射靶并在与溅射靶表面重叠的位置设有开口部的等离子体扩散防止板、设置成与溅射靶相邻并向等离子体扩散防止板所包围的区域的内侧突出的用于放电的天线、以及设置在等离子体扩散防止板内侧并将气体导入成膜室的气体导入管。天线具备具有向等离子体扩散防止板的内侧突出的U形槽形状的绝缘部件、以及布置在绝缘部件的大气侧的天线主体，其中天线主体可以从溅射靶表面起向成膜室的内侧突出。
本发明授权通过电感耦合等离子体进行溅射成膜的成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种成膜装置，包括： 成膜室，其安装有在俯视视角下为矩形状的溅射靶； 等离子体扩散防止板，其覆盖所述溅射靶并在与所述溅射靶表面重叠的位置处设置开口部； 气体导入管，其设置在由所述等离子体扩散防止板包围的区域中，并用于将气体导入所述成膜室内； 绝缘部件，位于由所述等离子体扩散防止板包围的区域内侧，邻近所述溅射靶，并向所述成膜室的内侧突出，在截面视角下具有U字形槽形状，并将所述成膜室的内部空间与大气侧隔开；以及 用于产生电感耦合等离子体的棒状天线，位于由所述等离子体扩散防止板包围的区域内，邻近所述溅射靶，并且配置在向所述成膜室的内侧突出的所述绝缘部件的所述U字形槽形状的沟部分中； 其中，所述绝缘部件在其表面上设有玻璃层，从大气侧插入到所述成膜室所设的贯通孔中； 所述棒状天线不接触所述绝缘部件，而是布置在大气侧；并且 所述等离子体扩散防止板被二次电子发射率大于1的材料覆盖。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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