株式会社日本显示器渡壁创获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116057610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180057008.X,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权显示装置是由渡壁创;三浦健太郎;津吹将志设计研发完成,并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了:显示装置包括基板101、发光元件230、第1晶体管210A和第2晶体管250,第1晶体管包括设置在基板上的第1栅电极204_1、设置在第1栅电极上的第1绝缘膜206、设置在第1绝缘膜上并具有与第1栅电极重叠的区域的第1氧化物半导体层208_1、设置在第1氧化物半导体层上的第2绝缘膜212和设置在第2绝缘膜上的第1导电层218,第2晶体管包括设置在基板上的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜上的第2氧化物半导体层208_2、设置在第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层上并具有比第1绝缘膜的膜厚小的膜厚的第2绝缘膜、和设置在第2绝缘膜上并具有与第2氧化物半导体层重叠的区域的第2栅电极214。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了:1.显示装置,其包括: 基板; 发光元件; 第1晶体管,其对从驱动电源线流入所述发光元件的电流值进行控制; 第2晶体管,其将与所述发光元件的发光亮度对应的电压写入所述第1晶体管的第1栅电极;和 第3晶体管,其与所述驱动电源线电连接, 所述第1晶体管包括: 所述第1栅电极,其设置在所述基板上; 第1绝缘膜,其设置在所述第1栅电极上; 第1氧化物半导体层,其设置在所述第1绝缘膜上,具有与所述第1栅电极重叠的区域; 第2绝缘膜,其设置在所述第1氧化物半导体层上;和 第1导电层,其设置在所述第2绝缘膜上, 所述第2晶体管包括: 所述第1绝缘膜,其设置在所述基板上; 第2氧化物半导体层,其设置在所述第1绝缘膜上; 所述第2绝缘膜,其设置在所述第1氧化物半导体层及所述第2氧化物半导体层上,具有比所述第1绝缘膜的膜厚小的膜厚;和 第2栅电极,其设置在所述第2绝缘膜上,具有与所述第2氧化物半导体层重叠的区域, 所述第3晶体管包括: 所述第1绝缘膜,其设置在所述基板上; 第3氧化物半导体层,其设置在所述第1绝缘膜上; 所述第2绝缘膜,其设置在所述第3氧化物半导体层上;和 第3栅电极,其设置在所述第2绝缘膜上,具有与所述第3氧化物半导体层重叠的区域, 其中,所述第1导电层与所述发光元件电连接。
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