长鑫存储技术有限公司毛盼获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利二极管触发的双向可控硅器件及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110833144.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权二极管触发的双向可控硅器件及电路是由毛盼;张英韬;刘俊杰;朱玲欣;宋彬;许杞安;吴铁将设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管触发的双向可控硅器件及电路在说明书摘要公布了：本申请提供了一种二极管触发的双向可控硅器件及电路，所述器件包括：P型衬底；第一P阱，形成在P型衬底内，第一P阱内形成有第一P型掺杂区和第一N型掺杂区；第二P阱，形成在P型衬底内，第二P阱内形成有第三N型掺杂区和第四P型掺杂区；N阱，形成在P型衬底内，N阱内形成有第二P型掺杂区、第二N型掺杂区和第三P型掺杂区；第二N型掺杂区与二极管串的正极电连接，第一P型掺杂区和第四P型掺杂区与二极管串的负极电连接。本申请通过共接二极管实现了双向触发电压可调和节省了版图面积。
本发明授权二极管触发的双向可控硅器件及电路在权利要求书中公布了：1.一种二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，包括可控硅整流器和二极管串，所述可控硅整流器具有阳极和阴极且包括： P型衬底； 第一P阱，形成在所述P型衬底内，所述第一P阱内形成有第一P型掺杂区和第一N型掺杂区； 第二P阱，形成在所述P型衬底内，所述第二P阱内形成有第三N型掺杂区和第四P型掺杂区； N阱，形成在所述P型衬底内，所述N阱内形成有第二P型掺杂区、第二N型掺杂区和第三P型掺杂区； 其中，所述第一N型掺杂区、所述第三P型掺杂区与所述阳极电相连；所述第三N型掺杂区、所述第二P型掺杂区与所述阴极电相连；所述第二N型掺杂区与所述二极管串的正极电连接，所述第一P型掺杂区和所述第四P型掺杂区与所述二极管串的负极电连接。
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