长鑫存储技术有限公司吴锋获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电容的制造方法和电容获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110881707.8，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容的制造方法和电容是由吴锋设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容的制造方法和电容在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容的制造方法和电容，包括：提供衬底，所述衬底表面具有牺牲层，所述牺牲层存在倒梯形电容通孔，所述衬底包括接触垫，所述接触垫位于所述倒梯形电容通孔的下方；在所述牺牲层表面形成下电极，所述下电极覆盖所述牺牲层的倒梯形电容通孔表面；去除所述牺牲层，暴露出所述下电极；形成介电层，所述介电层形成于所述下电极表面并包覆所述下电极；形成上电极，所述上电极覆盖所述介电层。本发明采用柱状与圆筒状结合的结构，通过顶部的凹孔结构增大电极板接触面积，提高了电容的电容值。
本发明授权电容的制造方法和电容在权利要求书中公布了：1.一种电容的制造方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底表面具有牺牲层，所述牺牲层存在倒梯形电容通孔，所述衬底包括接触垫，所述接触垫位于所述倒梯形电容通孔的下方； 在所述牺牲层表面形成下电极，所述下电极覆盖所述牺牲层的倒梯形电容通孔表面； 去除所述牺牲层，暴露出所述下电极； 形成介电层，所述介电层形成于所述下电极表面并包覆所述下电极； 形成上电极，所述上电极覆盖所述介电层； 所述下电极的形成进一步包括： 在所述牺牲层表面沉积第一下电极层，所述第一下电极层填充所述倒梯形电容通孔； 刻蚀所述第一下电极层至预定高度； 在所述第一下电极层上沉积第二下电极层，所述第二下电极层包覆倒梯形电容通孔裸露的牺牲层； 刻蚀所述第二下电极层的顶部，使所述第二下电极层的高度与所述牺牲层齐平，形成顶部具有凹孔的倒梯形下电极。
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