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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111047814.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器是由康晓旭;赵宇航设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器，涉及传感器技术领域，该图像传感器包括衬底，衬底内具有感光区、浮动区以及设置在感光区与浮动区之间的传输区；感光区包括N型掺杂区以及设置在N型掺杂区上的P型掺杂区；传输区内设置有沟道层，沟道层的一侧与N型掺杂区电接触，沟道层的另一侧与浮动区电接触，且所述沟道层的顶面低于所述P型掺杂区的顶面。本发明通过使沟道层的顶面低于感光区的顶面，相对于相关技术而言，降低了传输区沿垂直方向上的高度，进而缩短了感光区的底面与沟道层之间的距离，这样可以缩短电荷的传输路径和传输时间，避免图像传感器产生信号延迟，提高了图像传感器的性能。

本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括衬底，所述衬底内具有感光区、浮动区以及设置在所述感光区与所述浮动区之间的传输区； 所述感光区包括N型掺杂区以及设置在所述N型掺杂区上的P型掺杂区； 所述传输区内设置有沟道层，所述沟道层的一侧与所述N型掺杂区电接触，所述沟道层的另一侧与所述浮动区电接触，且所述沟道层的顶面低于所述P型掺杂区的最高面； 所述沟道层的延伸方向与第一方向之间具有第二预设夹角，且所述沟道层与所述浮动区连接的一端背离所述衬底； 所述P型掺杂区靠近所述传输区的端部延伸至所述沟道层内，并与所述沟道层具有第一交叠区域；所述N型掺杂区靠近所述传输区的部分端部延伸至所述沟道层内，并与所述沟道层具有第二交叠区域；沿所述第一方向，所述第二交叠区域的长度小于所述第一交叠区域的长度； 沿第一方向，所述N型掺杂区中离子浓度从背离所述沟道层的一侧，向靠近所述沟道层的一侧逐渐增加；沿第二方向，所述N型掺杂区中离子浓度从背离所述P型掺杂区的一侧，向靠近所述P型掺杂区的一侧逐渐增加，所述第二方向与所述第一方向相互垂直；所述P型掺杂区中离子浓度从背离所述沟道层的一侧，向靠近所述沟道层的一侧逐渐增加。

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