首尔大学校产学协力团;三星电子株式会社金相国获国家专利权
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龙图腾网获悉首尔大学校产学协力团;三星电子株式会社申请的专利斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111091288.4，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备是由金相国;梁在鹤;宋胤宗;李吉镐;金俊会设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备在说明书摘要公布了：一种核磁化翻转方法包括通过向第一磁性斯格明子施加第一交流AC磁场将所述第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理，并且然后通过向斯格明子纹理施加第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子。第一磁性斯格明子可以在半球形壳体上形成，该半球形壳体可以通过以下方式形成：i制备具有多个突起的膜，以及ii在所述膜上堆叠包括铂Pt、镍Ni、或钯Pd中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。第一AC磁场和第二AC磁场可以具有不同频率。
本发明授权斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备在权利要求书中公布了：1.一种核磁化翻转方法，所述方法包括： 通过向第一磁性斯格明子施加第一交流AC磁场将第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理；以及 通过向斯格明子纹理施加相对于第一AC磁场具有不等频率的第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子， 其中，第一磁性斯格明子在半球形壳体上形成；并且半球形壳体通过以下方式形成： 制备具有多个突起的膜；以及 在所述膜上堆叠包括铂Pt、镍Ni、或钯Pd中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人首尔大学校产学协力团;三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国首尔市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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