上海集成电路研发中心有限公司康晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利图形制造方法及图形基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111211801.9，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权图形制造方法及图形基板是由康晓旭;赵宇航设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形制造方法及图形基板在说明书摘要公布了：本发明提供了图形制造方法包括：对所述光刻胶薄膜进行图形化处理，使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面，然后采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理，以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩膜条，使去除所述光刻胶薄膜后，以所述N个金属硬掩膜条为掩膜，顺次刻蚀所述硬掩膜和所述目标薄膜，并以所述目标薄膜的顶面为停止位置去除每个所述初始目标图形的部分图形，从而得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形，工艺简单易控制，解决了生产小尺寸图形成本高、生产效率低、制作工艺复杂的问题。本发明还提供了通过所述图形制造方法得到的图形基板。
本发明授权图形制造方法及图形基板在权利要求书中公布了：1.一种图形制造方法，其特征在于，包括步骤： S1：在衬底上依次沉积目标薄膜、硬掩模、覆盖所述硬掩模顶面的金属薄膜，以及光刻胶薄膜，对所述光刻胶薄膜进行图形化处理，使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面； S2：采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理，以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩模条，N为大于0的正整数；其中包括：控制离子束以N个不同的预定入射角度分别作用于所述金属暴露顶面以形成N个所述金属硬掩模条，所述预定入射角度为所述离子束与所述金属暴露顶面之间所夹的锐角； S3：去除所述光刻胶薄膜后，以所述N个金属硬掩模条为掩模，顺次刻蚀所述硬掩模和所述目标薄膜以得到若干初始目标图形； S4：去除剩余所述金属硬掩模条和所述硬掩模，得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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