中国电子科技集团公司第五十五研究所马奔获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种硅基图形衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111339381.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种硅基图形衬底的制备方法是由马奔;高汉超;于海龙;王伟设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基图形衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基图形衬底的制备方法，包括以下步骤：S1.在Si衬底上生长第一延伸层；S2.刻蚀第一延伸层直至露出Si衬底；S3.在露出的Si衬底上生长介质层；S4.刻蚀第一条型沟槽宽度范围内的介质层直至露出Si衬底；S5.在第二条型沟槽露出的Si衬底上生长第二延伸层；S6.在介质层上方的第二延伸层上刻蚀出条型窗口；S7.清除条型窗口下的介质层，即形成“回”字形的Si基图形衬底，在制备好的“回”字型的硅基图形衬底进行GaAs、InP、GaN等Ⅲ‑Ⅲ族半导体材料的外延，可将穿透位错大部分限制于图形衬底中，实现低缺陷密度硅基GaAs、InP、GaN等材料的外延。
本发明授权一种硅基图形衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基图形衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在Si衬底上生长第一延伸层； S2.刻蚀所述第一延伸层直至露出Si衬底，刻蚀的区域形成第一条型沟槽，未刻蚀的区域为第一条型平台； S3.在所述第一条型沟槽露出的Si衬底上生长介质层，并使所述介质层包覆所述第一条型平台； S4.刻蚀所述第一条型沟槽宽度范围内的介质层直至露出Si衬底，刻蚀的区域形成第二条型沟槽，未刻蚀的区域为第二条型平台，刻蚀时避免露出第一条型平台，以使第二条型平台含有第一条型平台； S5.在所述第二条型沟槽露出的Si衬底上生长第二延伸层，并使所述第二延伸层包覆所述第二条型平台； S6.在所述介质层上方的第二延伸层上刻蚀出条型窗口，直至露出所述介质层； S7.清除所述条型窗口下的介质层，即形成Si基图形衬底。
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