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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利具有双空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111354674.8，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权具有双空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由黄福志;邓馨雨;李庆晨;貊艳平设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有双空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双层空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池，所述空穴传输层由第一空穴传输层PTAA和第二空穴传输层PEDOT：PSS组成，第二空穴传输层设置在第一空穴传输层与钙钛矿吸光层之间；本发明双层空穴传输层在单层的基础上，对空穴传输层的传输能力以及钙钛矿层的致密性进行了改善，从而提升了电池的各项性能，与传统的具有单层空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池相比，采用双层空穴传输层结构可以有效提升空穴传输层的传输能力以及改善钙钛矿层的致密性，这对于整个电池器件的性能有很大提升，这也为钙钛矿太阳能电池的以后的发展方向提供了一种新的思路。

本发明授权具有双空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有双层空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤： S1、ITO导电玻璃基底的清洗：用多种溶液依次对玻璃基底进行清洗，烘干后用紫外臭氧清洗机清洗； S2、第一空穴传输层的制备：利用旋涂法将配置好的PTAA溶液旋涂在导电玻璃基底上，制备第一空穴传输层，旋涂后退火；所述PTAA溶液是由PTAA粉末溶于氯苯中配成；退火过程在150℃下对基片退火10分钟； S3、第二空穴传输层的制备：利用旋涂法将配置好的PEDOT：PSS溶液旋涂在第一空穴传输层上，制备第二空穴传输层，旋涂后退火；PEDOT：PSS溶液是由PEDOT：PSS水溶液掺杂于无水甲醇中配成；退火过程在150℃下对基片退火20分钟； S4、钙钛矿吸光层的制备：将配置好的钙钛矿溶液旋涂在第二空穴传输层上，旋涂后退火； S5、电子传输层的制备：将配置好的PCBM溶液旋涂在钙钛矿吸光层上，旋涂后退火；将覆有PCBM薄膜的基底转移至蒸镀仪中，并抽真空至工作压强在9×10-4Pa以下，利用蒸镀法加热载有BCP的蒸发源，蒸镀完电子传输层； S6、金属电极的制备：将蒸镀完电子传输层的基底置于蒸镀仪的另一个舱内，并抽真空至工作压强在6.5×10-4Pa以下，利用蒸镀法加热载有银的蒸发源蒸镀金属电极。

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