北京科技大学杨涛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111415718.3，技术领域涉及：H01L21/225；该发明授权一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法是由杨涛;周林林;王恩会;侯新梅;方志;郑亚鹏;薛优;刘爽;吕煜诚;徐兵;邢原铭;王博设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法，通过将硼铝共掺杂到碳化硅中，能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时，也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度，从而进一步优化了其光响应能力，提高了视觉传感的灵敏度；此外，通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中，能够增加碳化硅的结构不对称性，从而提升了其压电系数，增加其压电响应能力，进而提高了触觉传感的灵敏度；基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理，可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构，使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之，本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。
本发明授权一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于共掺杂SiC纳米材料的触觉与视觉一体化传感器的制备方法，其特征在于，包括： 对碳化硅单晶片依次与硼源、铝源、氮源共掺杂，获得硼铝氮共掺杂碳化硅； 对所述硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理，获得碳化硅纳米结构列阵薄膜，并将所述碳化硅纳米结构列阵薄膜从所述碳化硅单晶片上脱离；其中，所述碳化硅纳米结构列阵薄膜包括基底及附着在所述基底上的碳化硅纳米结构； 在所述基底具有碳化硅纳米结构的一面设置一层PDMS薄膜，并使所述碳化硅纳米结构的第一端露出所述PDMS薄膜，完成对电极掩模板的制备； 对所述电极掩模板露出所述碳化硅纳米结构的第一端的一面沉积第一电极阵列层； 将所述基底从所述电极掩模板上脱离，再使所述碳化硅纳米结构的第二端露出所述PDMS薄膜的表面； 对所述电极掩模板露出所述碳化硅纳米结构的第二端的一面沉积第二电极阵列层，即完成对传感器的制备。
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