长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利版图及其处理方法、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111444495.3，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权版图及其处理方法、存储介质及程序产品是由王晓光;李辉辉;章纬;曹堪宇设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本版图及其处理方法、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了：本申请提供一种版图及其处理方法、存储介质及程序产品，以提高半导体器件版图的集成度，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件的集成度低的技术问题，该版图具有第一存储区域和第二存储区域；版图包括基底阵列图案和存储图案，基底阵列图案包括多个间隔设置的插塞图案；存储图案包括位于第一存储区域的磁性隧道结图案，以及位于第二存储区域的电容图案，磁性隧道结图案与位于第一存储区域的插塞图案具有部分重合区，电容图案与位于第二存储区域的插塞图案具有部分重合区。利用该版图进行生产时，可以利用动态随机存储器的制备工艺制备磁性随机存取存储器，使得磁性随机存取存储器的存储密度提高，提高了半导体器件的集成度。
本发明授权版图及其处理方法、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种版图，其特征在于，所述版图具有第一存储区域，以及至少部分环绕所述第一存储区域的第二存储区域；所述版图包括： 基底阵列图案，所述基底阵列图案包括多个间隔设置的插塞图案； 存储图案，所述存储图案包括位于所述第一存储区域的磁性隧道结图案，以及位于所述第二存储区域的电容图案，所述磁性隧道结图案与位于所述第一存储区域的所述插塞图案具有部分重合区，所述电容图案与位于所述第二存储区域的所述插塞图案具有部分重合区； 导电图案，所述导电图案位于所述第二存储区域，所述导电图案覆盖所述电容图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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