新唐科技股份有限公司陈奕豪获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111468562.5，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置是由陈奕豪;吴祖仪设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体装置，包括半导体基板、第一阱、第二阱、场氧化层以及多晶硅层。半导体基板具有第一导电型。第一阱形成于半导体基板之中且具有第二导电型。第二阱形成于第一阱之中，且具有第一导电型。场氧化层形成于第二阱之上。多晶硅层形成于场氧化层之上且形成电阻元件。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一半导体基板，具有一第一导电型； 一第一阱，形成于上述半导体基板之中且具有一第二导电型； 一第二阱，形成于上述第一阱之中且具有上述第二导电型； 一第一掺杂区，形成于上述第二阱之中且具有上述第二导电型； 一场氧化层，形成于上述第一阱之上且环绕上述第一掺杂区；以及 一多晶硅层，形成于上述场氧化层之上且形成一电阻元件； 一第三阱，形成于上述半导体基板之中且具有上述第一导电型；以及 一第二掺杂区，形成于上述第三阱之中且具有上述第一导电型； 其中上述电阻元件具有耦接至一高电压电平的一第一端点以及耦接至一低电压电平的一第二端点，其中上述第一掺杂区耦接至上述高电压电平，上述第二掺杂区耦接至一接地端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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