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龙图腾网获悉镇江市高等专科学校申请的专利一种基于电流源的偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114035639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111475387.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种基于电流源的偏置电路是由徐沛;黄海峰设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电流源的偏置电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电流源的偏置电路，涉及电路技术领域，包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、N型MOS管MN0、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、电阻R1、电阻R2、偏置电流源Iref、VDD电压端、参考电压Vref1、参考电压Vref2、S互补信号端、S’互补信号端、偏置电流Ib，其将偏置电流源进行分段，保证分段的同时两个电流源的电流大小能够很好地匹配。

本发明授权一种基于电流源的偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种基于电流源的偏置电路，其特征在于：包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、N型MOS管MN0、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、电阻R1、电阻R2、偏置电流源Iref、VDD电压端、参考电压Vref1、参考电压Vref2、S互补信号端、S’互补信号端、偏置电流Ib； 其中，偏置电流源Iref的一端分别连接VDD电压端、P型MOS管MP1的源极、P型MOS管MP3的源极，偏置电流源Iref的另一端分别连接N型MOS管MN0的漏极、N型MOS管MN0的栅极、N型MOS管MN1的栅极、N型MOS管MN3的栅极，N型MOS管MN0的源极接地，N型MOS管MN1的源极接地，N型MOS管MN1的漏极连接N型MOS管MN2源极，N型MOS管MN2的栅极连接VDD电压端，N型MOS管MN2的漏极分别连接电阻R1的一端和参考电压Vref1，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、P型MOS管MP1的栅极、P型MOS管MP3的栅极，电阻R2的另一端分别连接参考电压Vref2、P型MOS管MP2的漏极，P型MOS管MP2的栅极接地，P型MOS管MP2的源极连接P型MOS管MP1的漏极，P型MOS管MP3的漏极连接P型MOS管MP4的源极，P型MOS管MP4的栅极连接S’互补信号端，P型MOS管MP4的漏极连接偏置电流Ib，N型MOS管MN3源极接地，N型MOS管MN3的漏极连接N型MOS管MN4的源极，N型MOS管MN4的栅极连接S互补信号端，N型MOS管MN4的漏极连接偏置电流Ib。

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