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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利多层堆叠存储器封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496798.X，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权多层堆叠存储器封装方法及封装结构是由杜茂华;吴明敏设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层堆叠存储器封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：将每个第一存储器芯片固定在对应的第一假片的第一槽体内，形成第一存储器微模组，第一假片设置有第一冷却通孔；将第二假片与第三假片阳极键合，在第二假片和第三假片对应第一槽体处形成第二槽体，第三假片对应第一冷却通孔处形成第二冷却通孔，第二冷却通孔与第一冷却通孔连通；第一存储器芯片固定在第二槽体中形成第二存储器微模组；依次将第二存储器微模组和多个第一存储器微模组混合键合堆叠在缓冲芯片上，第二存储器微模组和第一存储器微模组在缓冲芯片上的正投影与缓冲芯片重合。本发明通过在假片上形成冷却通孔，实现强制冷却，芯片间通过混合键合连接，大大提高互连密度。

本发明授权多层堆叠存储器封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多层堆叠存储器封装方法，其特征在于，所述方法包括： 提供缓冲芯片、多个第一假片、第二假片、第三假片以及多个第一存储器芯片，所述第一假片设置有第一槽体和多个第一冷却通孔，所述缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，所述第一存储器芯片设置有与所述多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔； 分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述第一假片的所述第一槽体内，形成多个第一存储器微模组； 将所述第二假片与所述第三假片进行阳极键合，在键合后的所述第二假片和所述第三假片对应所述第一槽体处形成第二槽体，并在所述第三假片对应所述第一冷却通孔处形成第二冷却通孔，其中，所述第二冷却通孔与所述第一冷却通孔相连通； 将所述第一存储器芯片固定在所述第二槽体中，形成第二存储器微模组； 依次将所述第二存储器微模组和所述多个第一存储器微模组混合键合堆叠在所述缓冲芯片上，其中，所述第二存储器微模组和所述第一存储器微模组在所述缓冲芯片上的正投影均与所述缓冲芯片重合。

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