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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111506390.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件是由陈伟中;林徐葳;秦海峰;张红升设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明提出一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的LIGBT器件集成了表面和体内双二极管，其中P+表面层为阳极，P型浮空层为漂移区，N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成表面二极管结构；P+表面层为阳极，P‑top区域为漂移区，N型漂移区和N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成体内二极管结构。该器件正向导通时，空穴可以通过体内二极管抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；反向导通时，体内和表面二极管同时承担反向电流；在关断时刻，体内二极管抽取存储的载流子，减小关断时间和关断损耗。

本发明授权一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，其特征在于：从上至下分为二极管区域和LIGBT区域，二极管区域又分为表面二极管区域和体内二极管区域； 所述LIGBT区域包括从左至右设置的P+发射极5、N+电子发射极6、发射极12、P-body7、栅极13、二氧化硅绝缘层15、N型漂移区3、P-top区域4、N型缓冲层2、P+集电极1、集电极14、P型衬底16；所述P+发射极5位于发射极12的下方，其左侧与器件的左侧齐平，右侧与N+电子发射极6的左侧紧密相连，下侧与P-body7相连；所述N+电子发射极6位于发射极12的下方，右侧与栅极13相连，下侧为P-body7；所述P-body7的上侧与P+发射极5和N+电子发射极6的上侧齐平，下侧被N型漂移区3完全覆盖；所述N型漂移区3的上侧与P+发射极5、N+电子发射极6、二氧化硅绝缘层15、栅极13、P-top区域4、N型缓冲层2和P+集电极1的上侧平齐，左侧与器件的左侧平齐，下侧与二氧化硅绝缘层15相接触，右侧与器件右侧平齐；所述P-top区域4的上侧与N型漂移区3的上侧平齐，左侧与二氧化硅绝缘层15相接触，右侧和下侧被N型漂移区3完全覆盖；所述N型缓冲层2的上侧与N型漂移区3和P+集电极1的上侧平齐，右侧与器件的右侧平齐，左侧与下侧被N型漂移区3完全覆盖；所述P+集电极1位于集电极14的下侧，其上侧与N型漂移区3和N型缓冲层2的上侧平齐，右侧与器件的右侧平齐，左侧与下侧被N型缓冲层2完全覆盖；所述二氧化硅绝缘层15的下侧与P型衬底16上侧连接，左侧与右侧与P型衬底16平齐； 所述二极管区域包括从左至右设置的P+表面层11、P型浮空层10、N-隔离区9、N+表面层8；所述P+表面层11的左侧为发射极12，右侧与P型浮空层10的左侧紧密接触，下侧与P-top区域4的上侧紧密接触，上侧与P+表面层11、N-隔离区9和N+表面层8的上侧平齐；所述P型浮空层10的左侧与P+表面层11相接触，右侧与N-隔离区9的左侧紧密接触，下侧与P-top区域4的上侧紧密接触，上侧与P型浮空层10、N-隔离区9和N+表面层8的上侧平齐；所述N-隔离区9的左侧与P型浮空层10相接触，右侧与N+表面层8的左侧紧密接触，下侧与N型漂移区3和二氧化硅绝缘层15紧密接触，上侧与P型浮空层10、N-隔离区9和N+表面层8的上侧平齐；所述N+表面层8的左侧与N-隔离区9的右侧紧密接触、右侧为集电极14，下侧为二氧化硅绝缘层15； 在所述二极管区域中，P+表面层11为表面二极管的阳极，P型浮空层10为表面二极管的漂移区，N-隔离区9为表面二极管的漂移区，N+表面层8为表面二极管的阴极，构成表面二极管结构；P+表面层11为体内二极管的阳极，P-top区域4为体内二极管的漂移区，N型漂移区3和N-隔离区9为体内二极管的漂移区，N+表面层8为体内二极管的阴极，构成体内二极管结构。

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