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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539490.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法是由王翼;李赟;赵志飞;周平设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法，步骤包括：步骤一，将SiC衬底放置到反应室中，并抽真空；步骤二，将氢气通入反应室，通入碳源、硅源和掺杂源进行表面处理；步骤三，通入碳源、硅源和掺杂源通入反应室中进行缓冲层生长；步骤四，进行外延层生长和外延层掺杂；步骤五，第一阶段降温：关闭硅源和掺杂源，进行氢气氛退火处理，退火结束后关闭碳源；步骤六，第二阶段降温：进行氢气氛退火处理；步骤七，重复步骤六若干次直至达到温度要求；步骤八，降低到开腔温度，打开反应室取出碳化硅外延材料。本发明提供的方法工艺过程简单，适于工业化生产；最大限度地提高载流子寿命，且可避免长时间高温退火对材料表面的破坏。

本发明授权一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，将SiC衬底放置到化学气相沉积设备的反应室中，并对反应室进行抽真空处理； 步骤二，将氢气通入反应室，将反应室压力调节至60-110mbar，温度升高至1600-1680℃，碳源、硅源和掺杂源流量调节至生长缓冲层所需流量并设置为排外，待温度稳定后对SiC衬底进行表面处理； 步骤三，保持反应室温度和压力不变，将碳源、硅源和掺杂源通入反应室中进行缓冲层生长； 步骤四，保持反应室温度和压力不变，将碳源和硅源流量线性调节至生长外延层所需流量进行外延层生长，将掺杂源调节至外延层所需流量并设置为排外，待掺杂源的流量保持稳定后将其通入反应室中进行外延层掺杂； 步骤五，第一阶段降温：关闭硅源和掺杂源，将温度降低至预设温度，待温度稳定后进行3-10min氢气氛退火处理，退火结束后关闭碳源，第一阶段降温时保持碳源持续通入，将温度降低至1400℃以下，其中碳源流量为5-100mlmin； 步骤六，第二阶段降温：将温度降低，待温度稳定后进行氢气氛退火处理，第二阶段降温时温度降低100-200℃，退火时间为3-10min； 步骤七，重复步骤六若干次直至温度低于800℃； 步骤八，降低到开腔温度，打开反应室取出碳化硅外延材料。

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