上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司康晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111604053.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器是由康晓旭;张南平设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括衬底、若干光电转换结构、若干传输区和若干调压结构。所述图像传感器通过设置的若干传输区与每个所述光电转换结构的近端部对应电接触，且相邻所述光电转换结构的两个近端部位于不同侧，形成了指向传输区的多个内建电场，结合设置于相邻所述光电转换结构之间的若干调压结构，有利于提高光生电子的迁移速率。
本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 衬底； 若干光电转换结构，设置于所述衬底的表面，每个所述光电转换结构包括相对的远端部和近端部，相邻所述光电转换结构的两个所述近端部位于不同侧，每个所述光电转换结构具有内建电场；所述若干光电转换结构相互平行设置；所述光电转换结构沿第一方向延伸，所述若干光电转换结构在第二方向上依次排列；所述第一方向与所述第二方向垂直； 若干传输区，设置于所述衬底的表面，并与每个所述光电转换结构的近端部对应电接触，使每个所述光电转换结构的内建电场指向远离所述传输区的方向； 若干调压结构，分别设置于相邻所述光电转换结构之间，以调节所述若干光电转换结构的电势差；所述调压结构倾斜于相邻所述光电转换结构的任意一个所述光电转换结构；所述调压结构的一个端部靠近相邻所述光电转换结构中的一个所述光电转换结构的近端部，另一个端部靠近相邻所述光电转换结构中的另一个所述光电转换结构的近端部。
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