华中科技大学翟天佑获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111639579.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用是由翟天佑;徐永善;刘开朗;李会巧设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用，属于半导体器件技术领域。方法包括以下步骤：1将无机分子晶体生长在材料表面；2在该无机分子晶体层上进一步利用原子层沉积生长介电材料。本发明以无机分子晶体材料为源，所得分子晶体层对于介电材料原子层沉积的前驱体具有良好的润湿性与吸附性，可实现在材料表面的介电层集成。无机分子晶体层和介电材料的厚度可控，可用于高性能电子器件的制备，易于实现规模化制备和集成。
本发明授权一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种利用无机分子晶体集成复合介电层的方法，其特征在于，以Sb2O3粉末为蒸发源，采用热蒸镀的方式将其沉积到基底材料表面，得到Sb2O3晶体层；然后在该Sb2O3晶体层表面利用原子层沉积前驱体进行介电材料生长； 所述Sb2O3晶体层用于增强对所述前驱体的吸附作用，从而有利于介电材料的生长。
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