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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111442719.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法是由赵志飞;李赟;王翼;周平;李忠辉设计研发完成，并于2022-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法，包括以下步骤：S1.将硅面碳化硅衬底置于石墨基座上；S2.调节反应室内条件并生长缓冲层；S3.保持生长温度和压力不变，降低CSi比，之后以线性渐变的方式提高CSi比进行第1次生长；S4.保持生长温度和压力不变，继续进行n次速率切换梯度层生长；S5.调节反应室内条件并完成外延层的生长；S6.完成外延层生长后，关闭生长源和掺杂源，最终用氩气将反应室压力充气至大气压后，开腔取片。本发明通过采用阶梯式生长提镀层的方法，优化了梯度层设计，达到补偿缓冲层产生的碳空位和抑制梯度层碳空位形成的目的，大幅提高了碳化硅外延片的载流子寿命。

本发明授权一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将选取的偏向11-20方向4°或者8°的硅面碳化硅衬底置于SiC外延系统反应室内的石墨基座上； S2.采用氩气对反应室气体进行置换，之后向反应室中通入氢气，以CSi比为R0向反应室通入硅源和碳源作为生长源，并通入n型或者p型掺杂源，将反应室逐渐升温至外延生长温度，选用氢气或者氩气作为气浮气体推动石墨基座旋转，生长缓冲层； S3.保持生长温度和压力不变，降低CSi比至R1L，之后以线性渐变的方式提高CSi比至R1H，进行第1次速率切换梯度层生长，所述R1L小于R0，所述R1H大于R0； S4.保持生长温度和压力不变，继续进行n次速率切换梯度层生长，直至RnH大于外延层生长的CSi比时停止梯度层的生长，其中第i次速率切换梯度层生长为：先降低CSi比至RiL，之后以线性渐变的方式提高CSi比至RiH，所述RiL小于Ri-1H，所述RiH大于Ri-1H，2≤i≤n； S5.改变掺杂源流量至生长外延结构中外延层所需的设定值，保持外延层CSi比不变的条件下完成外延层的生长； S6.完成外延层生长后，关闭生长源和掺杂源，在氢气气氛中将反应室温度降至室温，之后将氢气排外，使用氩气对反应室内的气体进行多次置换，最终用氩气将反应室压力充气至大气压后，开腔取片。

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