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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利低纹波无片外电容数字LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114415771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210022157.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低纹波无片外电容数字LDO电路是由韦保林;徐洪;韦雪明;徐卫林;岳宏卫设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本低纹波无片外电容数字LDO电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种低纹波无片外电容数字LDO电路，通过控制模块、三选一选择器、进退位控制模块以及S、M与L三种尺寸MOS管阵列构成三环结构的无片外电容数字LDO，并引入前馈最小LCO维持模块。该数字LDO拥有优秀的带负载能力，较低的输出电压纹波，在几十MHz的时钟频率下就可以实现快速的负载调节，在很大程度上缓解了瞬态响应性能和功耗之间的制约关系；此外，由于三环结构的可以实现多种调节模式的优势，和前馈最小LCO维持模块能减少稳态下循环工作MOS管数目的作用，本专利电路仅需要几pF的片上电容，使得一种三环快速调节结构的低纹波无片外电容数字LDO电路得以实现。

本发明授权低纹波无片外电容数字LDO电路在权利要求书中公布了：1.低纹波无片外电容数字LDO电路，其特征是，由同步比较器、前馈最小有限周期震荡维持模块、2个控制模块、3个三选一选择器、2个或门、3个移位寄存器、2个延迟模块、2个进退位控制模块和MOS管阵列构成；其中MOS管阵列包括多个各自独立的MOS管，这些MOS管按照尺寸即宽长比分为3组，即小尺寸组、中尺寸组和大尺寸组，其中小尺寸组中的MOS管的尺寸、中尺寸组中的MOS管的尺寸与大尺寸组中的MOS管的尺寸之比为256：16：1； 同步比较器的正输入端接基础参考电压VREF；第一控制模块的第二输入端接第一参考电压VREF1，第一控制模块的第三输入端接第二参考电压VREF2；第二控制模块的第二输入端接第三参考电压VRE3，第二控制模块的第三输入端接第四参考电压VREF4； 前馈最小有限周期震荡维持模块包括一个以上各自独立的MOS管，这些MOS管的栅极接同步比较器的输出端、源极接高电平VDD、漏极接数字LDO电路的电压输出端； 第一控制模块的输出端接3个三选一选择器的其中一个控制端，第二控制模块的输出端接3个三选一选择器的另一个控制端；同步比较器的输出端接3个移位寄存器和2个进退位控制模块的其中一个输入端； 同步比较器的时钟控制端、2个控制模块的时钟控制端、第一三选一选择器的第三输入端、第二三选一选择器的第二输入端、第三三选一选择器的第一输入端同时接时钟信号CLK；第一三选一选择器的第一输入端与第二输入端、第二三选一选择器的第一输入端与第三输入端、以及第三三选一选择器的第二输入端与第三输入端同时接地； 第一三选一选择器的输出端接第一移位寄存器的另一个输入端和第一延迟模块的输入端；第一延迟模块的输出端接第一进退位控制模块的另一个输入端；第二三选一选择器的输出端接第一或门的一个输入端；第一或门的输出端接第二移位寄存器另一个输入端和第二延迟模块的输入端；第二延迟模块的输出端接第二进退位控制模块的另一个输入端；第三三选一选择器的输出端接第二或门的一个输入端；第二或门的输出端接第三移位寄存器另一个输入端； 第一移位寄存器的输出端接第一进退位控制模块的又一个输入端和小尺寸组的所有MOS管的栅极；第二移位寄存器的输出端接第二进退位控制模块的又一个输入端和中尺寸组的所有MOS管的栅极；第三移位寄存器的输出端接大尺寸组的所有MOS管的栅极； 第一进退位控制模块的第一个输出端接第一或门的另一个输入端，第一进退位控制模块的第二个输出端接第一移位寄存器的复位端；第二进退位控制模块的第一个输出端接第二或门的另一个输入端，第二进退位控制模块的第二个输出端接第二移位寄存器的复位端； 小尺寸组、中尺寸组合大尺寸组的所有MOS管的源极接高电平VDD；同步比较器的负输入端，第一控制模块的第一输入端，第二控制模块的第一输入端，以及小尺寸组、中尺寸组合大尺寸组的所有MOS管的漏极共同形成数字LDO电路的电压输出端。

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