华灿光电(浙江)有限公司尹涌获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210050040.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法是由尹涌;易丁丁;张琰琰;陆香花设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底上生长基础AlN层之后，在基础AlN层的表面沉积石墨烯层之后对基础AlN层进行退火处理，提高得到的基础AlN层的晶体质量。基础AlN层上还沉积有石墨烯层，较为致密且与基础AlN层化学性质差别较大的石墨烯层覆盖基础AlN层的表面，可以抑制基础AlN层的表面在退火过程会出现的氮原子解吸附过程，提高基础AlN层退火之后的内部晶体质量以及表面平整度，也减少杂质吸附。得到质量较好的基础AlN层并在质量较好的基础AlN层上依次生长n型层、发光层与p型层，有效提高最终得到的发光二极管外延片的质量。
本发明授权提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法包括： 提供一衬底； 在所述衬底上沉积基础AlN层； 采用化学气相沉积设备在所述基础AlN层上沉积石墨烯层，所述石墨烯层的生长温度为1000～1200℃，所述石墨烯层的生长压力为0.1～1atm，所述石墨烯层的生长速率为10～200nms； 对所述基础AlN层进行退火处理； 剥离所述基础AlN层的表面的所述石墨烯层； 在所述基础AlN层上依次生长n型层、发光层与p型层。
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