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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210080620.5，技术领域涉及：H01L21/461；该发明授权一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法是由江安全;敖孟寒设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。

本发明授权一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法，其特征在于，具体步骤为： （1）采用物理或化学方法，在铌酸锂表面制备一层易扩散的金属钝化膜，厚度1-200nm，在100-500℃温度范围内保温1-600min； （2）再在铌酸锂表面沉积一层与CMOS工艺兼容的硬质掩膜，并采用微电子工艺将硬质掩膜刻蚀成纳米图形； （3）采用物理或化学方法，在以上纳米图形化的待刻蚀铌酸锂表面制备一层活性金属膜，厚度为5-1000nm；对于刻蚀深度较浅，不沉积以上金属膜； （4）将以上覆盖或没有覆盖活性金属膜的铌酸锂放在还原气氛下退火5-600min，退火温度100-600℃； （5）退火结束后，采用酸碱腐蚀溶液除去铌酸锂表层覆盖物，包括与铌酸锂未发生化学反应的金属膜、已反应的金属所生成的氧化膜、铌酸锂表层与金属覆盖物处所生成的化合物，得到所需的刻蚀图形； （6）多次重复步骤（3）~（5），铌酸锂纳米图形刻蚀深度随重复次数加深，直至符合要求为止； 步骤（1）中所述金属钝化膜的材料选自Cu、Fe、Co、Ir、Pt、Ru、Ag、Al、Cr、Ti、Ni、Zr、Y； 步骤（3）中所述活性金属膜材料选自Zn、Al、Mg、Ti、Fe、Ca、Cu、K、Li。

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