上海积塔半导体有限公司刘金营获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210089178.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法是由刘金营设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法，包括衬底、固定铁磁层复合结构、沟槽、绝缘隧穿势垒层、自由铁磁层、中间金属连接结构及外围金属连接结构；固定铁磁层复合结构位于衬底上，包括交替排布的绝缘层及固定铁磁层；沟槽贯穿固定铁磁层；绝缘隧穿势垒层及自由铁磁层依次位于沟槽内；中间金属连接结构位于沟槽内且覆盖自由铁磁层；外围金属连接结构位于固定铁磁层复合结构中与固定铁磁层相接触且对应设置。本发明垂直自旋转移矩磁性随机存储器由STT‑MRAM在竖向上堆叠组合，在相同占地面积下，可存储双倍或更多倍的信息，可提高存储器件的存储密度，且可提高各层存储器“读”“写”的准确性。
本发明授权一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器，其特征在于，所述垂直自旋转移矩磁性随机存储器包括： 衬底； 固定铁磁层复合结构，所述固定铁磁层复合结构位于所述衬底上，包括交替排布的绝缘层及固定铁磁层，其中，所述固定铁磁层包括N层，N≥2； 沟槽，所述沟槽位于所述固定铁磁层复合结构中，且贯穿所述固定铁磁层； 绝缘隧穿势垒层，所述绝缘隧穿势垒层位于所述沟槽内且覆盖所述沟槽； 自由铁磁层，所述自由铁磁层位于所述沟槽内且覆盖所述绝缘隧穿势垒层； 中间金属连接结构，所述中间金属连接结构位于所述沟槽内且覆盖所述自由铁磁层； 外围金属连接结构，所述外围金属连接结构位于所述固定铁磁层复合结构中，与N层所述固定铁磁层对应设置，且与所述固定铁磁层相接触。
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