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龙图腾网获悉玉林师范学院申请的专利一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114444359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108212.6，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法及系统是由闭吕庆设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法，涉及石墨烯制备技术领域，解决加热平台设计效率低的技术问题，方法包括：构建基于SOI晶圆的基础加热微芯片结构，基础加热微芯片结构包括自上而下依次连接的Cu层、SiO2层、Si层；对基础加热微芯片结构的Si层输入电流，求解加热曲线，根据加热曲线分析Si层的电阻率对加热的影响，并确定适当的Si层的电阻率，根据确定的Si层的电阻率确定Si层的掺杂；在基础加热微芯片结构的各层厚度固定的前提下，分别改变长度和宽度，并求解对应的加热曲线，根据两个加热曲线确定基础加热微芯片结构的长度和宽度；在有限元分析软件上对基础加热微芯片结构进行热电仿真，以验证其是否满足要求。

本发明授权一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法，其特征在于，包括： 步骤S1.构建基于SOI晶圆的基础加热微芯片结构，所述基础加热微芯片结构包括自上而下依次连接的Cu层、SiO2层、Si层； 步骤S2.对所述基础加热微芯片结构的Si层输入电流，求解加热曲线，根据加热曲线分析Si层的电阻率对加热的影响，并确定适当的Si层的电阻率，根据确定的Si层的电阻率确定Si层的掺杂； 步骤S3.在所述基础加热微芯片结构的各层厚度固定的前提下，分别改变长度和宽度，并求解对应的加热曲线，根据两个加热曲线确定所述基础加热微芯片结构的长度和宽度； 步骤S4.在有限元分析软件上对步骤S3得到的基础加热微芯片结构进行热电仿真，以验证其是否满足要求； 在步骤S2中，将所述基础加热微芯片结构放入一个密封腔内并通电进行加热，根据焦耳定律，基础加热微芯片结构产生的能量为： Q＝I2Rt1 其中，I为通入的电流，t为加热时长，R为Si层的电阻， ρ为Si层的电阻率，L为基础加热微芯片结构的长度，S为电流输入的有效横截面积； 在真空退火前期，根据热力学定律，通电产生的热能，除了被基础加热微芯片结构本身吸收使得内能增加外，还有一部分因热辐射和热对流所损耗掉， Q＝QA+QR+QC2 QA为所增加的内能，QR、QC分别为热辐射和热对流损耗的能量；由于基础加热微芯片结构体积小，所用材料的热导率都较高，且各层间紧密接触，因此认为基础加热微芯片结构整体温度是均匀一致的，内能的增加为： QA＝Σcimi△Tti＝1,2,33 其中，ci、mi为各层材料的比热容与质量，ΔTt为加热前后的温度差，热辐射与热对流可用如下公式描述： σ为斯蒂芬-波尔兹曼常数，εi、Ai分别为第i层材料的辐射率与外表面积，h为热对流系数，TS、T∞分别为腔内壁和腔内气体的温度； 采用数值化的迭代法近似求解加热曲线，取时间间隔为Δt，则公式2可近似为： 由此可得加热的温度公式如下： 式中，Tn-1、Tn分别为第n个加热时间段的初始温度和最终温度，T0＝TS＝T∞＝25℃。

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