爱思开海力士有限公司朴俊赫获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210163179.7，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权制造半导体装置的方法是由朴俊赫;朴庆敏设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种制造半导体装置的方法。一种半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法。该方法包括以下步骤：在半导体基板上方形成包括下层级牺牲层的层叠结构；形成穿透层叠结构并且暴露下层级牺牲层的狭缝；在狭缝的侧壁上形成间隔件；通过去除下层级牺牲层来形成水平凹陷部；在水平凹陷部中的每个中形成导电材料；蚀刻导电材料以形成分别填充水平凹陷部的源极沟道接触部，并且在源极沟道接触部之间形成分离凹槽；以及形成填充分离凹槽的蚀刻屏障材料。
本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤： 在半导体基板上方形成包括下层级牺牲层的层叠结构； 形成穿透所述层叠结构并且暴露所述下层级牺牲层的狭缝； 在所述狭缝的侧壁上形成间隔件； 通过去除所述下层级牺牲层来形成水平凹陷部； 在所述水平凹陷部中的每个中形成导电材料； 蚀刻所述导电材料以形成分别填充所述水平凹陷部的源极沟道接触部，并且在所述源极沟道接触部之间形成分离凹槽；以及 形成无空隙地填充所述分离凹槽的蚀刻屏障材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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