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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利三维闪存器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238322.4，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权三维闪存器件及其制备方法是由于涛设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维闪存器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维闪存器件及其制备方法，包括：堆叠结构层，位于所述衬底上，且包括若干第一条状结构和第二条状结构，所述第一条状结构沿X方向延伸且沿Y方向排列，所述第二条状结构沿所述Y方向延伸且沿所述X方向排列，且所述第一条状结构的长度由下至上逐渐减小呈阶梯状；若干栅极结构，每个所述栅极结构均位于相邻的两个所述第一条状结构之间；若干掺杂区位于所述第一条状结构的每一多晶硅层中；金属互连结构，包括若干电连接件，所述电连接件与对应的所述掺杂区、所述控制栅及所述选择栅电性连接。本发明便于提高闪存器件的集成度。

本发明授权三维闪存器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维闪存器件，其特征在于，包括： 衬底； 堆叠结构层，位于所述衬底上，且包括若干第一条状结构和第二条状结构，所述第一条状结构沿X方向延伸且沿Y方向排列，所述第二条状结构沿所述Y方向延伸且沿所述X方向排列，所述第一条状结构包括若干多晶硅层，所述第二条状结构包括若干依次堆叠的第一氧化层和多晶硅层，且最顶层为所述第一氧化层，所述第二条状结构中的多晶硅层与所述第一条状结构中的多晶硅层一一对应且相对应的多晶硅层同层设置，所述第一氧化层位于相邻两个所述第一条状结构之间，且所述第一条状结构中的多晶硅层的长度由下至上逐渐减小呈阶梯状； 若干栅极结构，每个所述栅极结构均位于相邻的两个所述第一条状结构之间，且包括控制栅和选择栅，所述控制栅和所述选择栅之间具有间距且均横跨在所述第二条状结构上； 若干掺杂区，位于所述第一条状结构的每一多晶硅层中，相邻的所述第一条状结构对应的掺杂区分别作为源区和漏区，以使源区和漏区间隔排列于若干第一条状结构中； 金属互连结构，位于所述堆叠结构层及所述栅极结构上，其包括若干电连接件，所述电连接件与对应的所述掺杂区、所述控制栅及所述选择栅电性连接。

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