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西安航天民芯科技有限公司孙权获国家专利权

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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114624485B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210404360.2,技术领域涉及:G01R1/36;该发明授权应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路是由孙权;张龙;袁婷;刘海涛;苏建峰设计研发完成,并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路在说明书摘要公布了:本发明属于高压模拟集成电路领域,公开了一种应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路,包括P型DMOS管DP1、N型DMOS管DN1、电流镜、下拉单元、第一N型MOS管MN1、第一二极管D1、电阻R1、熔丝F1、反相器INV1、与门AND1、偏置电流输入端IBIAS、高压供电电压端VDDH、低压供电电压端VREG以及地端GND,反相器INV1的输出端上设置熔丝状态指示输出端DOUT;与门AND1的第一输入端上设置烧写控制输入端W_EN,与门AND1的第二输入端上设置熔丝状态指示输入端DIN。通过全新的电源切换电路,从而实现熔丝烧写时可以直接从外部电源获取足够的烧写电流,同时,在正常工作时可以切换至内部低压供电,避免外部高压对低压熔丝修调电路的损坏。

本发明授权应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路在权利要求书中公布了:1.一种应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路,其特征在于,包括P型DMOS管DP1、N型DMOS管DN1、电流镜、下拉单元、第一N型MOS管MN1、第一二极管D1、电阻R1、熔丝F1、反相器INV1、与门AND1、偏置电流输入端IBIAS、高压供电电压端VDDH、低压供电电压端VREG以及地端GND; 电流镜的第一端连接偏置电流输入端IBIAS,电流镜的第二端连接N型DMOS管DN1的源极;下拉单元的第一端、第一N型MOS管MN1的源极、反相器INV1的地端以及与门AND1的地端均与地端GND连接;下拉单元的第二端、第一N型MOS管MN1的漏极以及反相器INV1的输入端均与熔丝F1的第一端连接;第一N型MOS管MN1的栅极以及与门AND1的输出端均与N型DMOS管DN1的栅极连接;P型DMOS管DP1的漏极、熔丝F1的第二端均与第一二极管D1的负端连接;P型DMOS管DP1的源极以及电阻R1的第二端均与高压供电电压端VDDH连接;第一二极管D1的正端、反相器INV1的电源端以及与门AND1的电源端均与低压供电电压端VREG连接;反相器INV1的输出端上设置熔丝状态指示输出端DOUT;与门AND1的第一输入端上设置烧写控制输入端W_EN,与门AND1的第二输入端上设置熔丝状态指示输入端DIN; 其中,下拉单元用于提供有源下拉,当熔丝F1烧断时,将反相器INV的输入端下拉至低;当熔丝F1未烧断时,将反相器INV的输入端拉高; 还包括第二二极管D2;第二二极管D2的正端与P型DMOS管DP1的栅极、电阻R1的第一端以及N型DMOS管DN1的漏极均连接;第二二极管D2的负端与高压供电电压端VDDH连接; 所述电流镜包括第五N型MOS管MN5和第六N型MOS管MN6; 第五N型MOS管MN5的漏极、第五N型MOS管MN5的栅极以及第六N型MOS管MN6的栅极均与偏置电流输入端IBIAS连接;第五N型MOS管MN5的源极以及第六N型MOS管MN6的源极均与地端GND连接,第六N型MOS管MN6的漏极与N型DMOS管DN1的源极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安航天民芯科技有限公司,其通讯地址为:710065 陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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