华南师范大学许金友获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114927620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210486215.3,技术领域涉及:H10K71/16;该发明授权一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件是由许金友;张玲玉;王兴宇;周国富设计研发完成,并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件在说明书摘要公布了:本发明公开了一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件,该制备方法包括:在衬底的表面制备纳米级沟道阵列,而后对该表面进行疏水处理;借助具有第一通孔阵列的第一掩模版,通过物理气相沉积在所述表面制备金属酞菁纳米线阵列;再借助具有第二通孔阵列的第二掩模版,通过物理气相沉积在所述表面制备三8‑羟基喹啉铝纳米线阵列,其中,第二通孔阵列用于控制三8‑羟基喹啉铝纳米线阵列的生长区域,使得三8‑羟基喹啉铝纳米线阵列与金属酞菁纳米线阵列搭接,制得有机异质纳米线阵列。该制备方法可实现有机异质结纳米线的定向生长和对齐,进而可实现纳米线器件阵列的原位大规模构筑和集成。
本发明授权一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件在权利要求书中公布了:1.一种有机异质结纳米线阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、在衬底的表面制备纳米级沟道阵列; S2、对所述表面进行疏水处理; S3、借助具有第一通孔阵列的第一掩模版,采用金属酞菁通过物理气相沉积在所述表面制备金属酞菁纳米线阵列; S4、借助具有第二通孔阵列的第二掩模版,通过物理气相沉积在所述表面制备三8-羟基喹啉铝纳米线阵列,其中,所述第二通孔阵列与所述金属酞菁纳米线阵列部分重合,所述第二通孔阵列用于控制所述三8-羟基喹啉铝纳米线阵列的生长区域,使得所述三8-羟基喹啉铝纳米线阵列与所述金属酞菁纳米线阵列搭接,制得有机异质结纳米线阵列; 所述第一掩模版、所述第二掩模版分别通过固定装置固定设于所述衬底的表面;所述固定装置具有固定凹槽,所述固定凹槽包括自固定凹槽的底部向顶部延伸方向上依次设置的衬底固定槽和掩模版固定槽;所述衬底的尺寸与所述衬底固定槽的尺寸适配,以被配置为用于通过衬底固定槽卡接固定衬底;所述第一掩模版和所述第二掩模版的尺寸均与所述掩模版固定槽的尺寸适配,以被配置为用于通过掩模版固定槽卡接固定第一掩模版和第二掩模版。
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