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联合微电子中心有限责任公司赖强获国家专利权

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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114895538B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210529078.7,技术领域涉及:G03F9/00;该发明授权光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法是由赖强;张萌佳;郭东升设计研发完成,并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法,自适应设计方法包括:基于预设的版图设计规则以及工艺需求进行分析,得到分析结果,分析结果至少包括以下一种或多种:图形形状、图形尺寸和图形密度;根据分析结果,对光刻对位标记进行确定。对准方法包括:在TSV层版图上放置两组光刻对位标记,两组光刻对位标记沿Y轴镜像,一组用于正照光刻层自动对准,另一组用于键合后的背照光刻层自动对准。本发明基于预设版图设计规则及工艺需求,对光刻对位标记的图形形状、图形尺寸和图形密度进行自适应设计,解决了对位标记与特殊工艺不兼容的问题,并利用该光刻对位标记实现TSV工艺全自动对准,提高图形分辨率、对准精度及产量。

本发明授权光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法在权利要求书中公布了:1.一种光刻对位标记自适应设计方法,其特征在于,包括: 基于预设的版图设计规则以及工艺需求进行分析,得到分析结果,所述分析结果包括:图形形状、图形尺寸和图形密度;根据所述分析结果,对光刻对位标记进行确定;版图设计规则包括硅通孔图形形状、直径、版图中密集区域的硅通孔图形密度; 根据所述分析结果,对光刻对位标记进行确定具体包括:将原始对位标记的每一列按照所述分析结果进行切分,且使得切分后的光刻对位标记列与列的周期与原始对位标记列与列的周期相同或者是原始对位标记列与列周期的整数倍;按照所述分析结果对列进行切分时,首先使列方向排布最大整数个图形与其相邻的空白区域之和后,若剩余尺寸大于等于单个图形尺寸,则增加一个图形;若剩余尺寸小于单个图形尺寸,则删除不完整图形; 所述图形密度包括每列中的图形占比和每个周期内的列占比,每列中的图形占比表示同一列中,一个图形区域与该图形和其相邻的空白区域之和的比值,其相邻的空白区域选择两个图形之间的空白区域;每个周期内的列占比表示在一个周期内,一个列与该列和其相邻的空白区域之和的比值,其相邻的空白区域选择两个列之间的空白区域;每列中的图形占比为0.2-1,每列中至少存在一个完整图形;每个周期内的列占比为0.2-0.8,保留列与列之间的空隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人联合微电子中心有限责任公司,其通讯地址为:401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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