浙江大学尹勋钊获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于单个MTJ的超紧凑CAM阵列及其操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115035928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210535147.5,技术领域涉及:G11C11/40;该发明授权基于单个MTJ的超紧凑CAM阵列及其操作方法是由尹勋钊;杨泽禹;卓成设计研发完成,并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于单个MTJ的超紧凑CAM阵列及其操作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于单个MTJ的超紧凑CAM阵列及其操作方法,CAM阵列包括存储内容的M*NCAM核、额外的存“0”和存“1”参考行与存“0”和存“1”参考列、行译码器、列译码器、传输门EN、写入驱动器WD、搜索电流源Isearch和两级检测放大器。本发明采用1T‑1MTJ单元构建CAM阵列,结合了MTJ和CMOS的优点,在保证搜索能效的情况下,利用MTJ独特的结构实现了相比传统基于CMOS的CAM更少的面积开销和更低的搜索时延,并且实现了非易失性;本发明还采用了两级检测放大器和分段设计方案来进一步提高搜索的可靠性和CAM阵列的可扩展性。
本发明授权基于单个MTJ的超紧凑CAM阵列及其操作方法在权利要求书中公布了:1.一种基于单个MTJ的超紧凑CAM阵列,其特征在于,CAM阵列包括存储内容的M*NCAM核、额外的存“0”和存“1”参考行与存“0”和存“1”参考列、行译码器、列译码器、传输门EN、写入驱动器WD、搜索电流源Isearch和两级检测放大器; CAM核包括M*N个CAM单元,每个CAM单元由1MTJ和1NMOS构成;CAM单元中MTJ两端分别与位线BL和NMOS漏极相连,NMOS栅极与字线WL相连,NMOS源极与另一条位线BLB相连;CAM阵列中每行CAM单元位线相连,每列共享同一条纵向的WL; 行译码器控制传输门EN和搜索电流源Isearch,列译码器控制WL,写入驱动器WD分为写入驱动器WD1和写入驱动器WD2,写入驱动器WD1通过传输门EN连接BL,写入驱动器WD2连接BLB,CAM核中的每个存储行的BL接两个两级检测放大器SA的正输入端,两级检测放大器SA分为两级检测放大器SA0和两级检测放大器SA1,存“0”参考行的BL接入所有两级检测放大器SA0的负输入端,存“1”参考行的BL接入所有两级检测放大器SA1的负输入端。
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