上海华力微电子有限公司周家民获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利SONOS存储器的光刻返工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614756.X，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权SONOS存储器的光刻返工方法是由周家民;陈冬;刘政红;齐瑞生;黄冠群;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本SONOS存储器的光刻返工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SONOS存储器的光刻返工方法，包括：提供衬底，所述衬底具有存储区及非存储区，所述衬底上依次形成遂穿氧化层、氮化层及待返工的第一光刻胶层；除去所述第一光刻胶层；在所述氮化层上形成阻挡氧化层；在所述阻挡氧化层上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜除去所述非存储区上的所述阻挡氧化层及所述氮化层；除去所述第二光刻胶层；同步除去剩余的所述阻挡氧化层及所述非存储区上的遂穿氧化层。在所述第二光刻胶形成之前在所述氮化层上形成所述阻挡氧化层，解决光刻返工后氮化层与第二光刻胶层之间粘附性差的问题，避免后续刻蚀过程中光刻胶剥落对氮化层造成的侧向钻蚀。
本发明授权SONOS存储器的光刻返工方法在权利要求书中公布了：1.一种SONOS存储器的光刻返工方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有存储区及非存储区，所述衬底上依次形成遂穿氧化层、氮化层及待返工的第一光刻胶层； 除去所述第一光刻胶层； 在所述氮化层上形成阻挡氧化层； 在所述阻挡氧化层上形成第二光刻胶层； 以所述第二光刻胶层为掩模除去所述非存储区上的所述阻挡氧化层及所述氮化层； 除去所述第二光刻胶层； 同步除去剩余的所述阻挡氧化层及所述非存储区上的所述遂穿氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力微电子有限公司，其通讯地址为：201315 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号