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龙图腾网获悉福建华佳彩有限公司申请的专利一种高透过率氧化物TFT阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114924446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210637226.7，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权一种高透过率氧化物TFT阵列基板是由陈宇怀设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高透过率氧化物TFT阵列基板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高透过率氧化物TFT阵列基板，包括基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层、第三绝缘层、第三金属层、第四绝缘层、第一电极层、第五绝缘层、第二电极层和触控信号线，所述第一金属层设置在基板的表面，所述第一金属层可作为栅极以及驱动信号线，且栅极上设置有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设置有源层；相较于现有带有内嵌式触控设计的LCD阵列基板，本发明内嵌式触控阵列基板结构更为紧凑，像素开口率较高，有利于高分辨率面板设计；且TFT源漏极分别采用不同金属层制备，使得连接漏极与像素电极的信号搭接区可以覆盖于TFT有源层上方，减少不必要遮光面积。

本发明授权一种高透过率氧化物TFT阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种高透过率氧化物TFT阵列基板，其特征在于：包括基板（1）、第一金属层（2）、栅极绝缘层（3）、有源层（4）、第二金属层（5）、第二绝缘层（6）、第三绝缘层（7）、第三金属层（8）、第四绝缘层（9）、第一电极层（10）、第五绝缘层（12）、第二电极层（13）和触控信号线（14），所述第一金属层（2）设置在基板（1）的表面，所述第一金属层（2）可作为栅极以及驱动信号线，且栅极上设置有栅极绝缘层（3），所述栅极绝缘层（3）上设置有源层（4），且有源层（4）上设置有第二金属层（5），所述第二绝缘层（6）设置在第二金属层（5）上，且所述第二绝缘层（6）上设置有第三绝缘层（7），所述第二绝缘层（6）和第三绝缘层（7）上均开设有位置相对应的第一通孔，且第一通孔的底端形成有漏极搭接区（15），所述第三绝缘层（7）上设置有第三金属层（8），所述第三金属层（8）的一端通过第一通孔与有源层（4）上表面接触，所述第三金属层（8）的另一端覆盖于第三绝缘层（7）上表面并设置于TFT有源层（4）沟道远离基板（1）一侧上方，所述第三金属层（8）上设置有第四绝缘层（9），所述第一电极层（10）设置在第四绝缘层（9）上，所述第三金属层（8）的另一端可作为触控信号线（14）以及公共电极信号线，所述触控信号线（14）通过第四绝缘层（9）过孔与第一电极层（10）接触，所述第一电极层（10）上设置有第五绝缘层（12），所述第四绝缘层（9）和第五绝缘层（12）上均开设有位置相对应的第二通孔，并露出第三金属层（8）表面，所述第二通孔的底端形成漏极像素信号搭接区（11），所述第二电极层（13）设置在第五绝缘层（12）上，且第二电极层（13）通过第二通孔与第三金属层（8）漏极像素信号搭接区（11）相连，漏极像素信号搭接区（11）与TFT沟道区域在基板（1）上垂直投影面重叠；所述第三金属层（8）作为TFT漏极的一端设置于TFT有源层（4）沟道远离基板（1）一侧上方，并作为漏极像素信号搭接区，在所述第三金属层（8）与有源层（4）接触的一侧，第三金属层（8）与有源层（4）之间设有中间垫层。

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