上海华虹宏力半导体制造有限公司周海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利嵌入式闪存存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210764945.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权嵌入式闪存存储器是由周海洋;刘宪周设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式闪存存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种嵌入式闪存存储器，包括第一导电层，所述第一导电层的第一导电部位于位线上并与所述位线电性连接，第一导电层的第二导电部位于所述字线上并与所述字线电性连接；第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层包括同层设置且相互分离的至少两个第三导电部，所述第三导电部位于控制栅上并与控制栅电性连接。如此设置，仅需两层导电层即可实现位线、字线和控制栅与外部电路的电性连接，减少了嵌入式闪存存储器中的导电层，降低了成本，并且由于仅采用了两层导电层，且两层导电层中仅第一导电层的设计规则最紧凑，易于与逻辑工艺兼容。
本发明授权嵌入式闪存存储器在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式闪存存储器，其特征在于，所述嵌入式闪存存储器包括： 衬底,所述衬底上形成有控制栅； 字线，位于所述衬底上并贯穿所述控制栅，所述字线的顶面高于所述控制栅的顶面； 位线，位于所述衬底上并位于所述控制栅远离所述字线的一侧； 第一导电层，包括同层设置且相互分离的至少两个第一导电部和至少两个第二导电部以及连接部，所述第一导电部位于所述位线上并与所述位线电性连接，所述第二导电部位于所述字线上并与所述字线电性连接，所述连接部与所述第一导电部和所述第二导电部同层设置，所述连接部位于所述控制栅上； 第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层包括同层设置且相互分离的至少两个第三导电部，所述第三导电部位于所述控制栅上并通过所述连接部与所述控制栅电性连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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