厦门未来显示技术研究院有限公司万志获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种红光Micro LED外延结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761948.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种红光Micro LED外延结构及其制作方法是由万志;王莎莎;史成丹;卓祥景;程伟;柯志杰;艾国齐设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红光Micro LED外延结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种红光MicroLED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次沉积的缓冲层、电流扩展层、多量子阱结构、LQB层、空穴注入层、P‑GaN层以及接触层；其中，所述多量子阱结构由多个蓝光阱、绿光阱和红光阱构成，且在所述电流扩展层与所述空穴注入层之间，所述多量子阱结构采用In组分渐变的生长方式，并在所述红光阱的生长初期，引入脉冲通Al方式，通过前期3D生长，预置应力，增加In的并入，从而提高所述红光阱的生长温度，改善所述红光阱的晶体质量。
本发明授权一种红光Micro LED外延结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种红光MicroLED外延结构，其特征在于，包括： 衬底、以及在所述衬底一侧表面依次沉积的缓冲层、电流扩展层、多量子阱结构、LQB层、空穴注入层、P-GaN层以及接触层； 其中，所述多量子阱结构由多个蓝光阱、绿光阱和红光阱构成，且在所述电流扩展层到所述空穴注入层之间，所述多量子阱结构采用In组分渐变的生长方式，并在所述红光阱的生长初期，引入脉冲通Al方式，通过前期3D生长，预置应力，增加In的并入，从而提高所述红光阱的生长温度，改善所述红光阱的晶体质量。
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