厦门未来显示技术研究院有限公司王莎莎获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210766428.1，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法是由王莎莎;万志;陈少彬;史成丹;卓祥景;柯志杰;艾国齐设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱结构以及P‑GaN层；其中，所述多量子阱结构由多个量子垒和量子阱交替形成，所述量子阱包括在所述量子垒上依次生长的InN层、InGaN层、GaN层以及AlInGaN层，所述GaN层和所述AlInGaN层构成Cap层，且在所述N‑GaN层到所述P‑GaN层之间，所述Cap层采用AlIn渐变的生长方式，能够起到极化匹配，形成高导带势垒，减小电子泄露的作用，并且在所述量子阱的生长初期，采用预通In的生长方式，形成InN团簇，增加In的并入，从而减少穿透位错，增加辐射复合发光。
本发明授权一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种提高发光效率的LED外延结构，其特征在于，包括： 衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N-GaN层、多量子阱结构以及P-GaN层； 其中，所述多量子阱结构由多个量子垒和量子阱交替形成，所述量子阱包括在所述量子垒上依次生长的InN层、InGaN层、GaN层以及AlInGaN层，所述GaN层和所述AlInGaN层构成Cap层，且在所述N-GaN层到所述P-GaN层之间，所述Cap层采用Al比In渐变的生长方式，能够起到极化匹配，形成高导带势垒，减小电子泄露的作用，并且在所述量子阱的生长初期，采用预通In的生长方式，形成InN团簇，增加In的并入，从而减少穿透位错，增加辐射复合发光。
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