电子科技大学长三角研究院(湖州)刘富才获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210789434.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法是由刘富才;胡嘉仪;郑安绮设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法，包括衬底；布设在所述衬底上的绝缘封装层、导电沟道、介电层和栅极；以及布设在所述导电沟道两侧的源漏电极；所述介电层是采用机械剥离法或化学气相沉积法CVD制备的多层或少层金属硫族磷酸盐。采用机械剥离得到的少层金属硫族磷酸盐材料作为场效应晶体管器件的介电层，利用PDMS干法转移搭建二维材料堆叠组成的异质结构，能够有效降低漏电流，提高栅控效果。解决了现有的传统硅基场效应晶体管尺寸降低至纳米点后存在的开态电流降低和短沟道效应问题以及二维介电层h‑BN的介电常数小的问题。
本发明授权一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属硫族磷酸盐介电层晶体管器件，其特征在于，包括： 衬底； 布设在所述衬底上的绝缘封装层、导电沟道、介电层和栅极；以及 布设在所述导电沟道两侧的源漏电极； 所述介电层是采用机械剥离法或化学气相沉积法制备少层的金属硫族磷酸盐介电层； 所述金属硫族磷酸盐介电层的材料为金属硫族磷酸盐晶体材料；所述金属硫族磷酸盐晶体材料为GeP2S6、GeP2Se6、GeP2Te6、SnP2S6、SnP2Se6和SnP2Te6中的任意一种。
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