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龙图腾网获悉硅能光电半导体(广州)有限公司申请的专利一种五面发光的CSP LED的封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210820033.5，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权一种五面发光的CSP LED的封装工艺是由郭政伟;肖浩;滕翼龙;刘娟;包优赈;邱猛设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种五面发光的CSP LED的封装工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种五面发光的CSPLED的封装工艺，包括以下步骤：提供晶圆片，所述晶圆片包括若干个顶面带有电极的LED正装芯片，在所述电极上种植导电柱；在所述LED正装芯片的顶面覆盖一层高导热高反射层，所述高导热高反射层将所述LED正装芯片顶面未种植所述导电柱的区域覆盖；将所述导电柱进行热压；切割所述晶圆片，倒膜得到单颗的LED倒装结构芯片；提供置晶板，将制作好的多颗所述LED倒装结构芯片间隔固晶于所述置晶板上，所述LED倒装结构芯片的电极朝下，在多颗所述LED倒装结构芯片表面以及所述置晶板表面覆盖一层荧光层，所述荧光层将所述LED倒装结构芯片的四周侧面和顶面包覆；在相邻的所述LED倒装结构芯片之间进行切割，得到单颗五面发光的CSPLED的产品。

本发明授权一种五面发光的CSP LED的封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种五面发光的CSPLED的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供晶圆片，所述晶圆片包括若干个顶面带有电极的LED正装芯片，在所述LED正装芯片的电极上种植导电柱； S2：在所述LED正装芯片的顶面覆盖一层高度低于所述导电柱的高导热高反射层，所述高导热高反射层将所述LED正装芯片顶面未种植所述导电柱的区域覆盖； S3：将所述导电柱凸出于所述高导热高反射层的部分热压成扁平状，使得所述导电柱至少将所述高导热高反射层顶面的部分覆盖； S4：在相邻两所述LED正装芯片之间进行切割，倒膜得到单颗的LED倒装结构芯片； S5：提供置晶板，将制作好的多颗所述LED倒装结构芯片间隔固晶于所述置晶板上，所述LED倒装结构芯片的电极朝下，在多颗所述LED倒装结构芯片的表面以及所述置晶板的表面覆盖一层荧光层，所述荧光层将所述LED倒装结构芯片的四周侧面和顶面包覆，在所述荧光层的表面覆盖一层增透层，所述增透层的表面设置成凹凸不平的磨砂状； S6：在相邻的所述LED倒装结构芯片之间进行切割，得到单颗五面发光的CSPLED。

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